电压霍尔传感器原理,霍尔传感器电压与磁场强度的关系

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霍尔效应的本质是固体材料中的载流子在外磁场中运动时，由于洛仑兹力的作用，其运动轨迹发生偏移，电荷在材料两侧积累，形成垂直于电流方向的电场，最终载流子上的洛仑兹力与电场的排斥力相平衡，从而在两侧建立稳定的电势差，即。正交电场与电流强度和磁场强度的乘积之比是霍尔系数。平行电场与电流强度之比就是电阻率。

磁阻传感器是磁通量的变化会引起元件电阻的变化。磁阻传感器可以在硅片上制作并形成产品。其灵敏度和线性度能满足磁罗盘的要求，各方面性能明显优于霍尔 device。霍尔效应:当有电流I的导体置于与其垂直的磁场中时，导体p1和p2两侧会产生电位差uh，电位差uh与电流I和磁感应强度B成正比，与导体厚度D成反比..磁场中有一个霍尔半导体芯片，一个恒定的电流I从A到b通过芯片。

霍尔 电压随着磁场强度的变化而变化，磁场越强电压 is越高，磁场越弱电压 is越低，霍尔/1233。如果霍尔集成电路起传感作用，就需要通过机械手段改变磁场强度。下图所示的方法是用一个旋转的叶轮作为开关来控制磁通量。当叶轮叶片处于磁铁与霍尔集成电路之间的气隙时，磁场偏离集成芯片，霍尔 电压消失。