磁阻传感器及其应用实验报告,坡莫合金磁阻传感器

如果在传感器的敏感轴方向施加超过1010-4T的磁场，将会扰乱传感器的内磁畴的极化方向，从而改变传感器的输出特性,HMC1021z磁阻传感器一维磁阻细长Pomo制成的微电路集成芯片合金,传感器当被强磁场感应时，对应的磁阻材料会出现磁畴饱和现象，很难通过外加磁场改变磁阻材料的电阻，因此传感器的灵敏度会降低。

铁磁性物质放置在磁阻 传感器附近会干扰地磁场的大小，甚至干扰当地地磁场的方向，使测量结果异常。人们可以用这个来探测铁矿石。影响在于传感器与指甲大小的距离，指甲传感器与地磁场线的相对位置和方向关系。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于Fe-Co-Ni及其合金等磁性金属，当外磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外磁场变化。当外部磁场偏离金属内部磁化方向时，这类金属的电阻降低，这就是强磁性金属的各向异性磁阻效应。

铁磁性物质放置在磁阻 传感器附近会干扰地磁场的大小甚至当地地磁场的方向，导致测量结果异常。人们可以用这个来探测铁矿石。影响在于传感器与指甲大小的距离，指甲传感器与地磁场线的相对位置和方向关系。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于Fe-Co-Ni及其合金等磁性金属，当外磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外磁场变化。当外部磁场偏离金属内部磁化方向时，这类金属的电阻降低，这就是强磁性金属的各向异性磁阻效应。

物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于Fe-Co-Ni及其合金等磁性金属，当外磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外磁场变化。当外部磁场偏离金属内部磁化方向时，这类金属的电阻降低，这就是强磁性金属的各向异性磁阻效应。HMC 1021 z磁阻传感器一维磁阻细长Pomo制成的微电路集成芯片合金。它使用通常的半导体工艺将Fe-Ni 合金薄膜附着到硅片上，如图1所示。

如果在传感器的敏感轴方向施加超过1010-4T的磁场，将会扰乱传感器的内磁畴的极化方向，从而改变传感器的输出特性。需要重置这些磁畴的极化方向来恢复传感器的灵敏度。只要在置位和复位电流带施加一个极短的置位脉冲，就可以最大程度地统一磁阻的内部磁畴方向，从而大大提高灵敏度。当电流通过游丝流过线圈时，由于电流和磁场的相互作用，线圈偏转一个角度来克服游丝的阻力矩。当磁感应强度、线圈面积、线圈匝数和游丝强度不变时，电流与线圈的偏转角成正比。

传感器当被强磁场感应时，对应的磁阻材料会出现磁畴饱和现象，很难通过外加磁场改变磁阻材料的电阻，因此传感器的灵敏度会降低。方法如下:在硅片上设计两条铝电流带，一条是置位和复位带，当这个传感器被强磁场感应时，会产生磁畴饱和现象，可以用来置位或复位极性，另一条是偏置磁带，用来产生偏置磁场，补偿环境磁场中的弱磁场，使磁阻12，或者按复位键。