锑化铟磁阻传感器

pressure传感器:1压阻式力传感器:电阻应变片是压阻式应变的主要组成部分之一传感器,磁阻传感器:磁阻传感器的线性工作范围和灵敏度可以制作在硅片上，形成产品,电流传感器:电流传感器也是磁场传感器,磁性传感器分为三类:指南针磁场传感器位置传感器,磁阻传感器磁阻效应传感器是根据磁阻效应制成的磁性材料。

磁阻效应是指材料的电阻随着外界磁场的变化而变化的效应。其物理量定义为有无磁场时的电阻差除以原电阻，以表示电阻变化率。磁阻效应是由威廉·汤姆孙，也就是后来的开尔文爵士在1856年首先发现的，但在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这种效应后来被称为常数磁阻。常数磁阻对于所有非磁性金属来说，由于磁场中洛伦兹力的影响，导电电子在行进时会发生偏转，使得路径变得弯曲，这会增加电子行进路径的长度，增加电子碰撞的几率，进一步增加材料的电阻。

pressure传感器:1压阻式力传感器:电阻应变片是压阻式应变的主要组成部分之一传感器。金属电阻应变片的工作原理是吸附在基材上的应变电阻随机械变形而变化的现象，俗称电阻应变效应。2陶瓷压力传感器:陶瓷压力传感器基于压阻效应，压力直接作用于陶瓷膜片的正面，使膜片产生轻微变形。厚膜电阻印刷在陶瓷膜片的背面，并连接形成惠斯通电桥。由于压阻电阻器的压阻效应，电桥产生与压力和激励电压成比例的高度线性的电压信号。标准信号根据不同压力范围标定为2.0/3.0/3.3mV/V，兼容应变类型传感器。

磁阻元件与霍尔元件类似，但其工作原理是利用半导体材料的磁阻效应。与霍尔效应的区别如下:霍尔电位是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应是沿电流方向的电阻变化。霍尔传感器的工作原理是基于霍尔效应。一般可以直接测量霍尔电位差，测量磁场强度，也可以用来判断磁感应强度的方向。磁阻 传感器通过改变放置在磁场中的合金带的电阻来测量磁场的大小和方向。