hmc1021磁阻传感器灵敏度 5v

磁阻元件与霍尔元件类似，但其工作原理是利用半导体材料的磁阻效应(或高斯效应)。与霍尔效应的区别如下:即霍尔电位是指垂直于电流方向的横向电压，磁阻效应是沿电流方向的电阻变化。霍尔传感器的工作原理是基于霍尔效应。一般可以直接测量霍尔电位差，测量磁场强度，也可以用来判断磁感应强度的方向。磁阻 传感器通过改变放置在磁场中的合金带的电阻来测量磁场的大小和方向。

磁阻传感器可实现极低功耗、极高灵敏度、极高的稳定性和更小的尺寸。缺点是信号稳定性不是很好。磁阻效应传感器是根据磁阻效应制成的磁性材料。磁阻 传感器它可以做在硅片上，形成产品。其灵敏度和线性度都能满足磁罗盘的要求，各方面性能明显优于霍尔元件。

磁阻传感器磁通量的变化会引起元件电阻的变化。霍尔效应:如果将电流为I的导体放在与其垂直的磁场中，导体p1和p2两侧会产生电位差uh，电位差uh与电流I和磁感应强度B成正比，与导体厚度D成反比..磁阻 传感器工作原理干簧管和电阻串联组成一组电路，几组这样的电路并联，再接信号发生器。当磁铁随着测量介质的变化而移动时，吸合簧片开关，连接电阻和信号发生器，产生相应的电信号！

Hall 传感器工作原理磁场中有一个霍尔半导体芯片，芯片中从A到b流过一个恒定的电流I，在洛仑兹力的作用下，I的电子流经过霍尔半导体时偏向一侧，在CD方向产生一个电位差，这就是所谓的霍尔电压。霍尔电压随磁场强度的变化而变化。磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压很小，通常只有几毫伏，但可以通过集成电路中的放大器放大，输出很强的信号。

如果在传感器的敏感轴方向施加超过10×104T的磁场，将会扰乱传感器 磁阻的内磁畴的极化方向，改变传感器的输出特性。灵敏度递减ζ为了消除历史上的这种“恶劣影响”，只要设置和，就需要重新设置这些磁畴的极化方向来恢复传感器灵敏度ζ。当然，这是一种实验性的比较方法。你可以把传感器放入一个固定的已知磁场中，比如旁边放一块永磁铁，那么永磁铁与传感器之间的距离就代表了磁偏的强弱(越近越强)。将传感器与稳压电源连接，并与安培计串联(或使用安培计)。然后通过改变巨磁元件的磁场强度(此时的磁场不是初始偏磁磁场，一般是均匀磁场，如通电螺线管线圈中心轴处的磁场)，根据电流表(或电压表)值变化的剧烈程度(或实验曲线的斜率)，就可以判断出传感器在此偏磁下的高度。

1、在传统的磁检测中，首先使用感应线圈作为敏感元件。特点是不需要在线圈中通电，一般只在运动的永磁体或载流体内起灵敏作用。后来发展到用线圈构成振荡回路。例如地雷探测器、金属异物探测器、用于测量磁通量的磁通计等。(磁通门，振动样品磁力仪)。霍尔传感器霍尔传感器是一种基于霍尔效应的器件。霍尔效应:当带电载流子受到垂直于载流子平面的外磁场时，载流子受到洛仑兹力，倾向于向两侧聚集。

从而形成霍尔元件。早期的霍尔效应材料Insb(铟锑)。为了增强对磁场的敏感性，半导体IIIV族元素已被应用于材料中。近年来，除了Insb，还有硅衬底和砷化镓。由于其工作机理，霍尔元件器件全部做成全桥器件，其内阻约为150ω~ 500ω。对于线性传感器，工作电流在2~10mA左右，一般采用恒流供电方式。

当我们选择称重传感器时，有很多手动传感器的参数，告诉我们这个传感器的性能是指温漂和干扰的影响。这里很精确。其中一个参数叫灵敏度，所以一般标记如下:灵敏度2 0.002 (MV/V)这个灵敏度是做什么的，有什么意义？这是一部重要的绩效指标传记。当然其他指标也很重要，但是当我们选择使用传感器，这个指标会直接影响使用。

当然，激励电压会比实际运行电压大1v，通常是10v到12V。如果一个200KG 传感器，its 灵敏度是2 0.002(毫伏/体积)，也就是10v的激励电压，那么在200KG的拉力下，压力变化的输出是2*1020mV。我们选择传感器，一般是三个或者四个同时并联，每个传感器必须和灵敏度相同并且可以同时使用。如果不把整个秤放的一样，不允许把东西放在不同的地方，不同的秤会显示重量。

首先看一下称重传感器的发货报告，和报告对比一下。如果你觉得体重300Kg不是合适的输出，看看挂150Kg是不是300Kg的一半，如果是一半，就没什么大问题了。关于过载，要看传感器的材质，一般是120%，换句话说，传感器的满刻度是100。最高可以达到120，只能短时间超负荷。过载后，传感器会发生不可挽回的变形，测量结果不准确。