各类霍尔传感器件的测量原理

原理传感器的扭矩要求扭力轴变形较大，所以相对较小测量,automobile霍尔传感器是按照霍尔effect传感器制作的磁场,霍尔传感器是由霍尔effect制成的传感器元件，可用于检测磁场及其变化，可用于各种与磁场有关的场合,霍尔传感器的优点如下:1,霍尔传感器是由霍尔效果制成的。

霍尔元件应用霍尔半导体效应。所谓霍尔效应是指当磁场作用于载流金属导体半导体中的载流子时，产生横向电势差的物理现象。金属的霍尔效应是美国物理学家霍尔在1879年发现的。当电流通过金属箔时，如果在垂直于电流的方向施加磁场，金属箔的两侧就会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔中的更明显，而铁磁金属在居里温度以下会表现出非常强的霍尔效应。

霍尔电势差UH的基本关系是:UH=RHIB/d1RH=1/nq在金属2中，RH 霍尔系数n，单位体积内载流子或自由电子的数量Q，电子量I通过的电流b垂直于I的磁感应强度，D导体的厚度。对于半导体和铁磁性金属，霍尔系数的表达式与公式2不同，此处省略。由于通电导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，所以可以用霍尔element测量磁场来确定导线的电流。

1。磁场中有一个霍尔半导体芯片，一个恒定的电流I从A到B通过芯片..在洛仑兹力的作用下，I的电子流通过霍尔半导体时向一侧偏移，造成CD方向的电位差。这就是所谓的霍尔电压。2.霍尔电压随着磁场强度的变化而变化。磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压很小，通常只有几毫伏，但通过集成电路中的放大器可以放大到足以输出很强的信号。

霍尔电流和电压的运行传感器-3/一次电流Ip产生的磁通集中在磁路中，由霍尔装置检测。磁平衡霍尔电流传感器一次电流Ip产生的磁通量与二次电流通过二次线圈放大霍尔电压产生的磁通量平衡。次级电流准确地反映了初级电流。磁平衡霍尔电压传感器一次电压Vp通过一次电阻R1转换成一次电流Ip，Ip产生的磁通量与二次电流产生的磁通量通过二次线圈放大霍尔电压平衡。

霍尔传感器的优点如下:1。它可以用于检测各种物理量，例如位置感测、速度感测和运动方向感测。无摩擦磨损，理论上寿命无限。霍尔效应是E.H. 霍尔在1879年发现的，它定义了磁场与感应电压的关系。这种效果和传统的感应效果完全不同。当电流通过磁场中的导体时，磁场会产生一个垂直于电子运动方向的力，从而在导体两端产生电压差。